IRFRC20TRPBF 与 BSP299 H6327 区别
| 型号 | IRFRC20TRPBF | BSP299 H6327 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-IRFRC20TRPBF | A-BSP299 H6327 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252) | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.5mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.4Ω@1.2A,10V | 3.1Ω |
| 上升时间 | - | 15ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 300mS |
| 封装/外壳 | DPAK | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 2A | 400mA |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 30ns |
| 高度 | - | 1.6mm |
| 漏源极电压Vds | 600V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),42W(Tc) | 1.8W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 55ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | BSP299 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 8ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFRC20TRPBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 4.4Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD2HNK60Z | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A |
暂无价格 | 42,500 | 对比 |
|
STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
暂无价格 | 27,500 | 对比 |
|
|
STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSP299 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
500V 400mA 3.1Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STD2LN60K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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